隨著硬件水平的不斷發展，芯片工藝已經發展到了5nm時代，并且臺積電、三星都公布了其3nm、2nm計劃。雖然說5nm、3nm甚至2nm工藝能集成更多的晶體管，并會帶來性能方面的大幅提升，但是在當下主流的手機市場，尤其是5nm工藝驍龍888翻車之后，7nm工藝芯片成了安卓陣營最受歡迎的處理器。并且7nm工藝芯片的用途相當廣，只要掌握7nm，國產手機芯片、PC處理器就都能實現自給自足。

但是，目前全球能掌握7nm制程工藝的只有三星和臺電，英特爾雖然公布了其工藝發展藍圖，但2022年才有望實現生產。不少網友表示，我國進步最快的中芯國際，什么時候才能實現7nm工藝芯片的量產呢？

去年中芯國際就對外宣布，早已完成了對7nm工藝的研發任務，很快將就會進入試生產階段，但這幾個月，關于國產7nm，中芯國際久久沒有消息。

不過，近日中芯國際也對外放出了一些消息，一方面是關于中芯國際第二季度的營收、產能數據，另一方面就是關于將7nm制程工藝的回應。

首先，在FinFET工藝產能方面，中芯國際表示已經達產，每月1.5萬片，產能基本滿載，并且客戶多樣化，不同的產品都導入了，新客戶在不斷的進來。要知道，FinFET工藝是當下三星、臺積電5nm及更成熟工藝所應用到的技術，而中芯國際FinFET則包含了14nm、12nm和N+1、N+2工藝。

據悉，N+1工藝已經量產，與現有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積減少了63%，相當于臺積電“殘血版”7nm工藝，而N+2工藝則比N+1性能更強，消息稱，今年年底中芯國際就將進入N+2工藝風險試產階段。

其次，即便年底將試生產N+2制程工藝，但中芯國際梁孟松表示，集成電路沒有彎道式超車和跳躍式前進。這說明，中芯國際幾乎不會從14nm跳躍式發展到7nm，7nm很可能會放在N+2工藝之后，中間將會插入12nm、10nm等。更重要的是，在7nm領域，臺積電、三星的良品率已經很高，中芯國際快速步入7nm階段與臺積電、三星競賽，明顯非常吃虧。

更何況，打造更先進的工藝，會大幅增加研發上的投入成本，而現階段中國半導體需要的是穩步發展，尤其當全球陷入“缺芯潮”，晶圓開始漲價，此事提高成熟工藝產能，解決芯片供應問題、提高企業營收是當務之急，這才能推動中芯國際向更先進制程邁進。

其實，在先進工藝方面，中芯國際還無法擺脫對美國技術的依賴，并且在采購ASML光刻機方面還面臨著美國的重重阻撓，但是，中芯國際在成熟工藝方面正在克服困難，擺脫因為美國方面所帶來的不確定性，并且也在加速設備的安裝，畢竟相對于臺積電、三星而言，產能還非常低，并且14nm工藝居多。

相信在國家利好政策，2025年自給率70%的鐵令面前，中芯國際N+1、N+2、7nm制程能快速并穩步實現突破。