隨著硬件水平的不斷發(fā)展，芯片工藝已經(jīng)發(fā)展到了5nm時(shí)代，并且臺(tái)積電、三星都公布了其3nm、2nm計(jì)劃。雖然說(shuō)5nm、3nm甚至2nm工藝能集成更多的晶體管，并會(huì)帶來(lái)性能方面的大幅提升，但是在當(dāng)下主流的手機(jī)市場(chǎng)，尤其是5nm工藝驍龍888翻車(chē)之后，7nm工藝芯片成了安卓陣營(yíng)最受歡迎的處理器。并且7nm工藝芯片的用途相當(dāng)廣，只要掌握7nm，國(guó)產(chǎn)手機(jī)芯片、PC處理器就都能實(shí)現(xiàn)自給自足。

但是，目前全球能掌握7nm制程工藝的只有三星和臺(tái)電，英特爾雖然公布了其工藝發(fā)展藍(lán)圖，但2022年才有望實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)。不少網(wǎng)友表示，我國(guó)進(jìn)步最快的中芯國(guó)際，什么時(shí)候才能實(shí)現(xiàn)7nm工藝芯片的量產(chǎn)呢？

去年中芯國(guó)際就對(duì)外宣布，早已完成了對(duì)7nm工藝的研發(fā)任務(wù)，很快將就會(huì)進(jìn)入試生產(chǎn)階段，但這幾個(gè)月，關(guān)于國(guó)產(chǎn)7nm，中芯國(guó)際久久沒(méi)有消息。

不過(guò)，近日中芯國(guó)際也對(duì)外放出了一些消息，一方面是關(guān)于中芯國(guó)際第二季度的營(yíng)收、產(chǎn)能數(shù)據(jù)，另一方面就是關(guān)于將7nm制程工藝的回應(yīng)。

首先，在FinFET工藝產(chǎn)能方面，中芯國(guó)際表示已經(jīng)達(dá)產(chǎn)，每月1.5萬(wàn)片，產(chǎn)能基本滿載，并且客戶多樣化，不同的產(chǎn)品都導(dǎo)入了，新客戶在不斷的進(jìn)來(lái)。要知道，F(xiàn)inFET工藝是當(dāng)下三星、臺(tái)積電5nm及更成熟工藝所應(yīng)用到的技術(shù)，而中芯國(guó)際FinFET則包含了14nm、12nm和N+1、N+2工藝。

據(jù)悉，N+1工藝已經(jīng)量產(chǎn)，與現(xiàn)有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積減少了63%，相當(dāng)于臺(tái)積電“殘血版”7nm工藝，而N+2工藝則比N+1性能更強(qiáng)，消息稱(chēng)，今年年底中芯國(guó)際就將進(jìn)入N+2工藝風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段。

其次，即便年底將試生產(chǎn)N+2制程工藝，但中芯國(guó)際梁孟松表示，集成電路沒(méi)有彎道式超車(chē)和跳躍式前進(jìn)。這說(shuō)明，中芯國(guó)際幾乎不會(huì)從14nm跳躍式發(fā)展到7nm，7nm很可能會(huì)放在N+2工藝之后，中間將會(huì)插入12nm、10nm等。更重要的是，在7nm領(lǐng)域，臺(tái)積電、三星的良品率已經(jīng)很高，中芯國(guó)際快速步入7nm階段與臺(tái)積電、三星競(jìng)賽，明顯非常吃虧。

更何況，打造更先進(jìn)的工藝，會(huì)大幅增加研發(fā)上的投入成本，而現(xiàn)階段中國(guó)半導(dǎo)體需要的是穩(wěn)步發(fā)展，尤其當(dāng)全球陷入“缺芯潮”，晶圓開(kāi)始漲價(jià)，此事提高成熟工藝產(chǎn)能，解決芯片供應(yīng)問(wèn)題、提高企業(yè)營(yíng)收是當(dāng)務(wù)之急，這才能推動(dòng)中芯國(guó)際向更先進(jìn)制程邁進(jìn)。

其實(shí)，在先進(jìn)工藝方面，中芯國(guó)際還無(wú)法擺脫對(duì)美國(guó)技術(shù)的依賴(lài)，并且在采購(gòu)ASML光刻機(jī)方面還面臨著美國(guó)的重重阻撓，但是，中芯國(guó)際在成熟工藝方面正在克服困難，擺脫因?yàn)槊绹?guó)方面所帶來(lái)的不確定性，并且也在加速設(shè)備的安裝，畢竟相對(duì)于臺(tái)積電、三星而言，產(chǎn)能還非常低，并且14nm工藝居多。

相信在國(guó)家利好政策，2025年自給率70%的鐵令面前，中芯國(guó)際N+1、N+2、7nm制程能快速并穩(wěn)步實(shí)現(xiàn)突破。